英特爾攜手聯電開發12奈米製程 開啟晶圓代工產業新競局

DIGITIMES研究中心分析師陳澤嘉觀察英特爾(Intel)與聯電共同宣布攜手開發12奈米製程一事，由於雙方事業發展策略具互補性質，此次展開合作在製程開發、晶圓代工服務方面可共創雙贏，甚至未來也有望擴及成熟製程合作。英特爾結盟高塔半導體(Tower Semiconductor)與聯電，也將開啟晶圓代工產業競合新局。 

陳澤嘉指出，Pat Gelsinger在2021年重回英特爾擔任CEO後，積極推動IDM 2.0戰略，其中，重返晶圓代工市場以推動Intel Foundry Service (IFS)為其轉型發展的重要策略。不過，英特爾推進IFS服務主要聚焦7奈米以下先進製程，在成熟製程部分，僅有Intel 16。 

雖然英特爾在2021年宣布收購格羅方德(GlobalFoundries)，然格羅方德於同年宣布IPO，收購案正式破局；2022年英特爾再提出收購高塔半導體，欲補強IFS服務，並擴充IFS的製程布局，以形成完整的代工服務體系，然英特爾收購高塔半導體案最終仍在2023年8月中止，雙方改以合作形式取代收購。 

陳澤嘉觀察，對於晶圓代工服務經驗相對缺乏的英特爾，原可望透過收購補強服務流程與製程布局，加強IFS對客戶的支援性，然此二樁收購案破局，使IFS布局回到原點，而此次攜手聯電布局12奈米製程開發，並以英特爾美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication既有廠房與設備，可大幅降低投資成本，對英特爾而言，是既有設備的再活化，而聯電晶圓代工服務經驗也有助英特爾學習。 

聯電提供5微米至14奈米製程，是全球前五大晶圓代工業者，豐富的晶圓代工服務經驗與客戶提供製程設計套件(Process Design Kit；PDK)及設計支援，皆是英特爾IFS業務所需；另一方面，聯電雖已完成14奈米製程開發，然貢獻其營收有限，此次雙方合作推進製程研發，英特爾在鰭式場效電晶體(FinFET)的大量生產經驗，有助強化聯電在FinFET技術開發的掌握度，有利聯電提供客戶更具功耗、效能與面積(PPA)的解決方案。 

陳澤嘉認為，對於聯電而言，此次與英特爾合作，也有助擴大未來雙方合作的面向，為聯電在其他成熟製程增添新的營運成長動能。由於英特爾將資源集中於10奈米以下先進製程，聯電則可在14奈米以上提供互補的解決方案，為雙方深化合作建立基礎。 

英特爾目標2030年成為全球第二大晶圓代工廠，取代目前三星電子(Samsung Electronics)的產業地位，IFS服務的競爭優勢、客戶訂單、製程布局與客戶設計支援等，都是英特爾需要進一步加強的範疇，因此，英特爾陸續推進與高塔半導體、聯電合作將是重要的發展策略。英特爾結盟高塔半導體與聯電，也將開啟晶圓代工產業競合新局。 

陳澤嘉剖析，英特爾的目標遠大，三星電子料將推動新策略因應IFS的追趕，同時也持續挑戰台積電全球晶圓代工龍頭的角色，然短期對台積電影響有限；三星電子長年與聯電保持緊密合作關係，此次英特爾與聯電加強結盟，也將牽動聯電在三星電子與英特爾之間的資源配比。