TrendForce:次世代記憶體有望於2020年打入市場

全球超大規模資料中心建置數量預估表。(TrendForce提供) 全球超大規模資料中心建置數量預估表。(TrendForce提供)

研究機構TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)認為,隨著現有記憶體解決方案價格越來越便宜,對次世代記憶體來說並非最好的切入點,預估現有記憶體價格有望在2020年止跌反彈,成為次世代記憶體切入機會點。

TrendForce表示,不論是DRAM或NAND Flash,現有的記憶體解決方案面臨製程持續微縮的物理極限,意即要持續提升性能與降低成本都更加困難。因此,Intel Optane等次世代記憶體近年來廣受討論,希望在有限度或甚至不改變現有平台架構的前提下,找到新的解決方案。TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)認為,次世代記憶體與現有解決方案各有優劣,最關鍵的機會點仍是在於價格。

TrendForce表示,目前包含Intel、三星與美光等記憶體廠商皆已投入次世代記憶體解決方案,如MRAM、PRAM和RRAM等。以Intel的Optane為例,是以3DxPoint為設計基礎的伺服器類產品,由於現在已經推出與市面上伺服器模組能夠完全相容的DIMM,對主機板設計廠而言,同樣的插槽可以依據整機成本的考量,自由更換伺服器記憶體模組或Optane解決方案。

TrendForce表示,然而,由於次世代記憶體尚未規模化與標準化,因此成本較高,所以廠商目前幾乎都鎖定在資料中心等特殊應用,尤其是超大規模資料中心擁有相對高程度的客製化設計,可以針對不同記憶體規劃新的配置。

近年來由於智慧終端裝置的普及加上人工智慧技術逐漸成熟,使得大部分應用服務皆藉由伺服器來進行統合,尤其是需要倚賴龐大數據進行運算與訓練的應用服務。此外,伴隨著虛擬化平台及雲儲存技術發展,伺服器需求與日俱增,也帶動超大規模資料中心(hyperscale datacenter)的成長。根據TrendForce調查顯示,全球超大規模資料中心的建置數量於2025年預計將達1,070座,2016年至2025年CAGR達13.7%。

TrendForce表示,從市場面來看,DRAM與NAND目前皆處於供過於求,使得現有記憶體解決方案價格維持在低點。以DRAM來說,價格持續下跌基本上是受到伺服器與智慧型手機的需求下滑,導致消耗量急凍與庫存攀高;而NAND則是因為競爭者眾多,而陷入市占爭奪的狀態,且由2D NAND轉向不同程度的3D NAND造成供給位元大幅度增長。綜合以上所述,2019年的DRAM與NAND價格同時快速滑落,而且NAND的價格正逐漸逼近廠商的現金成本。

TrendForce表示,隨著現有記憶體解決方案價格越來越便宜,對次世代記憶體來說並非最好的切入點,但展望未來,需求陸續回溫與價格彈性所帶動的庫存回補動能,可望帶動2020年的記憶體價格止跌反彈,讓次世代解決方案有機會打入市場。TrendForce認為,市場在未來的幾年間,將會在特殊領域當中逐漸增加次世代記憶體的考量與運用,成為現有解決方案的另一個新選項。

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