施振榮看好NEO Semiconductor AI記憶體創新 FMS 2026發表X-SRAM與NEO.AI平台

由矽谷華人許富菖創立的AI記憶體公司NEO Semiconductor，今日於全球記憶體與儲存產業年度盛會Future Memory and Storage（FMS 2026）發表新一代AI晶片內建記憶體技術X-SRAM，並同步推出NEO.AI平台。該平台整合X-SRAM與3D X-DRAM兩項核心技術，致力解決AI晶片內建記憶體容量不足，以及高頻寬記憶體（HBM）容量與功耗限制等兩大挑戰。

宏碁集團創辦人暨台積電前董事施振榮表示，看好NEO Semiconductor持續推動AI記憶體創新，並期待這些突破為台灣及全球半導體產業帶來更多可能。

NEO Semiconductor 兩項核心技術於 FMS 2026 Best of Show Awards 中雙雙入圍決賽，其中 X-SRAM 入圍 「Next-Gen Memory Award」，3D X-DRAM 入圍 「3D & NAND Innovation Award」。兩項技術同時獲得國際專家評審肯定，不僅彰顯 NEO Semiconductor 在 AI 記憶體創新的領先地位，也進一步提升公司於全球半導體產業的能見度。

Future Memory and Storage（FMS） 是全球記憶體與儲存產業最具影響力的年度國際盛會，匯聚半導體、AI、雲端運算、資料中心等領域的國際企業與產業領袖。今年NEO Semiconductor受邀發表主題演講，由創辦人暨執行長許富菖（Andy Hsu）正式介紹X-SRAM與NEO.AI平台，展現公司於新世代AI記憶體技術的重要突破。

隨著生成式AI與大型語言模型快速發展，AI晶片對記憶體容量的需求持續攀升。然而，傳統SRAM於先進製程已逐漸接近微縮極限，使晶片內建快取容量成長受限，導致HBM存取增加、功耗與成本同步提升，形成日益嚴重的AI Memory Wall。

NEO Semiconductor表示，X-SRAM採用全新記憶體架構，在完全相容先進Nanosheet CMOS製程下，可提供最高5倍於傳統SRAM的記憶體密度，使AI晶片內建記憶體容量可望由目前約200至400MB提升至1至2GB，並預估降低HBM存取功耗約50%至80%。此外，X-SRAM亦具備未來發展3D SRAM的潛力，可望將記憶體密度進一步提升20倍以上。

許富菖亦於主題演講中分享 3D X-DRAM 最新進展。該技術採用創新的3D NAND-like架構，突破傳統DRAM微縮限制，並已與國立陽明交通大學產學創新研究學院（IAIS）及國家實驗研究院台灣半導體研究中心（TSRI）完成概念驗證（POC）測試晶片開發，目前正持續朝商業化邁進。

宏碁集團創辦人暨台積電前董事施振榮表示：「AI正快速改變全球產業，而記憶體將是支撐下一階段AI發展的重要關鍵。我很高興看到NEO Semiconductor持續推出X-SRAM與NEO.AI等創新技術，為突破AI記憶體瓶頸提供新的方向，也期待這些創新能為台灣及全球半導體產業帶來更多可能。」

NEO Semiconductor創辦人暨執行長許富菖表示：「當傳統記憶體逐漸接近物理極限，AI Memory Wall已成為下一代AI發展的重要挑戰。透過NEO.AI平台整合X-SRAM與3D X-DRAM，我們希望同時提升晶片內建記憶體與HBM容量，打造更高效、更具擴充性的AI記憶體架構。我們也正積極尋求與全球晶圓代工夥伴合作，共同推動X-SRAM技術開發，加速下一代AI記憶體技術商業化，攜手推動AI運算邁向新的世代。」