IET-KY國防訂單助攻 第三季獲利季增逾兩倍

三五族化合物半導體磊晶大廠IET-KY（4971，英特磊）公布2026年第三季財報，營收為新台幣（以下同）3.19億元，年增26.84%、營業毛利1.24億元，年增55.07%，毛利率38.72%，營業利益0.58億元，年增71.79%，營業利益率18.16%、稅後淨利0.59億元，年增98.06%、EPS 1.26元，年增 68%，主要受惠國防相關銻化鎵（GaSb）及砷化鎵（GaAs）訂單增加，高毛利產品出貨比重提升所致。

IET-KY累計前三季營收9.08億元，年增19.30%，毛利率40.72%，營業利益1.76億元，年增76.14%，稅後淨利1.57億元，EPS達3.58元，已超越去年全年度EPS 1.65元，全年獲利有望挑戰歷史新高。

董事長高永中表示，第三季國防客戶需求明顯增溫，帶動高附加價值磊晶產品出貨增加，推升營收季增24.64%，毛利率較第二季提高4.72個百分點，營業利益季增168.59%，稅後淨利季增214.31%，產品組合改善帶動本業獲利提升。

由於客戶需求強勁，半導體基板及關鍵原料價格亦明顯上漲，公司將持續與客戶協商調整售價，適度反映材料成本變化。

英特磊指出，今年前三季營業利益年增逾七成，營業利益率亦較去年同期提高7.11個百分點，主要為本業營運改善帶來的獲利成長。

在國防產品方面，GaSb紅外線探測器磊晶片受惠國防客戶年底加速下單，預期2027年國防和商用訂單規模將持續擴大，公司規劃明年啟動第四台GaSb生產機台，提升供貨效率。GaAs產品亦獲國防及商用大廠第四季追加訂
單，出貨動能可望延續。磷化銦（InP）仍為英特磊最大核心產品線，受惠AI資料中心高速傳輸需求成長，PIN PD磊晶片訂單持續增加，惟產出仍受限於InP基板供應短缺。

公司正透過協助歐洲供應商改善良率、自行研磨回收基板等方式增加原料來源；新興APD及HBT磊晶產品亦準備於2027年導入量產。

新產品研發方面，英特磊持續開發量子點雷射（QD Laser）及變晶型PIN（m-PIN）磊晶片。QD Laser初期研發表現超過預期，而m-PIN採用價格較低、供應相對穩定的GaAs基板生長InP PIN結構，有機會在InP基板缺貨情況
下切入部分光接收器（PD）市場，降低對傳統InP基板的依賴，成為未來AI高速光通訊的重要技術布局。

其他業務方面，氮化鎵（GaN）二次長晶已建立台灣接單及在地生產模式，並有固定客戶定期下單。客製化新材料MBE機台「先租轉買」合約亦接近完成。

產能布局部分，英特磊德州新廠二期預計2027年第一季完工，德州晶片法案補助持續按期請款，美國聯邦晶片法案補助預期今年底完成簽約。與光聖（6442）換股後持有的股權列為長期策略性金融資產，相關公允價值變動反映於其他綜合損益及股東權益，不影響當期EPS。

展望2027年，英特磊將以國防高毛利產品擴產、InP基板供應改善及新產品量產為三大成長方向，在國防與AI高速光通訊雙重需求帶動下，爭取營收及本業可望獲利持續成長。