高毛利產品帶動 IET-KY Q1獲利大幅成長

高毛利產品帶動 IET-KY Q1獲利大幅成長。(資料照) 高毛利產品帶動 IET-KY Q1獲利大幅成長。(資料照)

IET-KY (英特磊,4971)公布Q1營收為新台幣2.2億元,較110年同期的1.52億元增加44.72%;稅後淨利為4209.5萬元;EPS 1.16元則較110年同期的0.05元增加22倍,也較110年Q4旺季的0.74元增加56.76%,不僅營收大幅提升,獲利更是大躍進。董事長高永中表示,營收與獲利均有明顯成長主因來自於InP等高毛利產品比重增加所推升。

根據市調公司GII所做的統計資料指出,全球雲端資料庫及DBaaS的市場規模預測將從2020年的120億美元,到2025年達到248億美元,在預測期間中預計將以15.7%的年複合成長率成長。此外,5G基建部分也在各國政府積極推廣的狀態下,研究機構 Gartner 2020年就已預估市場規模已達80億美元,且呈現逐年成長的態勢。


IET-KY董事長高永中指出,由於物聯網、5G持續快速發展,加上疫情之後全球對於雲端作業的需求更是加重,因此帶動全球高頻光纖網路加快增速增覆蓋。而5G的基礎建設及高頻光纖網路中最重要的基本元件就是磷化銦(InP)的異質結雙極電晶體(HBT)、晶片光接收器(PIN)和雪崩式光接收器(APD),因此在市場需求強勁下,這三項高毛利產品帶動英特磊第一季
獲利突飛猛進。


另外在氮化鎵(GaN)部分,高摻雜氮化鎵二次生長也是未來公司重要的成長動能。高永中進一步表示,所謂二次生長(regrowth) 是指在GaN磊晶元件上再以MBE技術生長高摻磊晶可有效提升產品效能;目前主要應用在國防、通訊及5G相關射頻(RF) GaN HEMT磊晶片。其優勢在於磊晶品質佳且價格相對低,可大幅為客戶降低成本;新的趨勢是八英寸GaN/Si也開始考慮使用這種二次生長,市場需求相當樂觀。


法人表示,從公司目前在手訂單以及市場需求量來看,不僅高毛利產品比重增加,氮化鎵二次生長也相當受到客戶歡迎,日前公司亦表示下半年有增加機台的打算;整體而言,英特磊今年的營運表現相當值得期待。

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